MSAP（微細配線加工）
MODIFIED SEMI-ADDITIVE PROCESS
通称「MSAP(Modified Semi-Additive Process)」と呼ばれる、アディティブめっきでパターン形成する工法です。
極薄銅箔の上にT/H形成用の無電解銅めっきを行い、その後パターン不要部分にドライフィルムを形成します。
続いて、電解銅めっきでパターンを析出させ、ドライフィルムを剥離後エッチングし完成です。
これにより、微細な配線でも形状が矩形に仕上り、サブトラクティブ法に比べファインパターンの形成に向いています。
また極薄銅箔をベースにしていますので、基材との密着力に優れており，信頼性の高い微細配線が可能となります。
特徴
狭いピッチ部品の配線が可能です。
0.15mmピッチ WL-CSP実装パターン
ランド径：60μm L/S＝30/30μm
- サブトラクティブ法に 比べてパターンの微細化が可能です。
- パターンのトップとボトムの差が極めて小さくなります。
- パターンエッジ（先端部）やコーナー部に痩せやＲが発生せず、設計値に近い仕上りになります。
| 基材 | FR-4,PPE,PTFE | 最小L/S | 40μm/40μm以下 |
| 板厚 | 0.1mm～1.6mm | 最小VIA径 | Φ0.06（板厚0.05の場合） |
| 層数 | 2～6層 ※ご相談ください。 |
VIAの構造 | 貫通VIA,BVH/IVH,スタックVIA |
| 電極厚み | Cu20μm～25μm | 表面処理 | 無電解フラッシュ金メッキ ※ご相談ください。 |
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