DBCもDBC置換もコア技術は「厚銅のエッチング」

厚銅のエッチング加工ができる製造メーカーをお探しではありませんか？

通常の基板メーカーが国内にも多くありますが、厚銅のエッチングは恐らく100ミクロンくらいまでの対応が多いと思われます。

ますますニーズが増えている大電流が必要な場合は、基板の銅の厚みを増していく必要があり、その場合、関西電子工業では最大2ミリ位までの厚銅のエッチングができます。

DBC基板をご検討中のお客様も、DBC置換をお考えの事業者様も、弊社ではどちらも対応が可能になっております。

大電流基板を使うケース

DBC基板にしてもDBC置換にしても、厚銅のエッチングでの基板加工が必要になります。

現在ではどんどんパワーエレクトロニクスという分野が発達してきているので、厚銅のエッチングでなければ大電流が流せない状況になっています。

こちらは弊社の例ですが、下図の左側のように、400ミクロンのフルエッチングの場合は、銅の高さに対して、800ミクロンのスペースが必要になってきます。（通常は銅厚の約２倍のスペースが必要になります）

しかし、下図真ん中の400ミクロンのハーフエッチングの技術を使えば、図中のGのスペース幅は380ミクロンまで狭めることができ、回路間の沿面距離をフルエッチングの半分にすることができます。

下図右側は、例えば800ミクロンの厚板のエッチングの場合でも、ハーフエッチングの技術を使ってスペース幅を通常エッチングの約半分に抑えることが可能になります。

エッチング工法比較

一般的な基板の、ほとんどのエッチングの場合、銅の厚さが18ミクロン、35ミクロン、70ミクロン、厚くて105ミクロンくらいまでに収まります。

しかし、大きな電流を流さないと動かない電子機器、つまり、大電流が必要となる自動車や電車や大型設備用の電源などでは、必ず大電流が必要になってきます。

SDGsの観点や省エネの取り組みが必要な所からも、100の電気を流せばそのまま100の電気が使えるような形がベストなのです。

しかし、回路を通す以上、必ず色々な所から電力のロスが発生します。

出来る限り電力のロスがないように、パワー半導体の材料として、SiCやGan（ギャン）が使われだしています。

SiCやGan（ギャン）の素材で作られたパワー半導体は非常にエネルギー効率が良いため、省エネ対策になります。

もちろん省エネ対策が必要になる設備等については、大きな電力で動くようなものになります。

厚銅基板は、GND、VCCとしての大電流回路はもちろんのこと、IGBTやパワーMOSFET、ショットキーダイオードなどの高温に発熱するパワーデバイスの受け皿として熱拡散と放熱にも優れたプリント基板です。

弊社の放熱対策基板であるメタルベース基板、メタルコア基板(アルミ、銅)との組み合わせにより、用途は限りなく広がります。

用途

産機（産業機械）、特機（特別機械）の分野（半導体を作る装置であったり、色々なものを組み立てるロボットであったりします）やEV（電気自動車）の分野の省電力化を図るために、SiCやGan（ギャン）のパワー半導体が使われるようになってきています。

従来、この大電流基板としてDBCが使われていましたが、最近ではDBC置換として厚銅のエッチングを使った基板も使われるようになってきています。

プリント基板の素材の見直しやDBCの置き換えに必要な技術についてのご相談は、関西電子工業までお気軽にお問い合わせください。

お問い合わせ
CONTACT